原子レベルでのメモリを作成へ

東京大学の物性研究所の徳永将史が次世代の磁気メモリを作るための基礎研究である新現象を発見しました。

http://news.mynavi.jp/news/2015/01/15/115/


発見した新現象とは以下の通りです。

瞬間的に大きな磁場を発生できるパルスマグネットの実験結果、ビスマスフェライトで新しい方向への電気分極が発生し、磁場によって制御できること。

パルスマグネットは、電磁波によって作った磁石です。
ビスマスフェライトはマルチフェロイック材料で電場によって磁性を制御できる物質です。

今回は発見されたビスマスフェライトの特性は室温で使えることがポイントです。
今までは同じような現象でも室温では再現できていませんでした。
室温で使えないと家庭向け製品の材料として使うことができないですから。

この発見によって、今までよりもはるかに高密度のメモリを作ることができます。

まだ、実用化までは先ですが、ナノマシンサイズでも現在のPCと同じくらいのスペックのメモリを搭載することが可能だと思われます。